Máy tạo xung điện áp HPPI TLP-3010C/3011C
cung cấp dòng điện đầu ra tăng 30%
CMTI-4010C (CMTI) IEC-60747-5-5 và IEC-60747-17 CMTI 20 000 V/ns
TLP-8010A (có tùy chọn mở rộng mở rộng xung quanh TLP-8012A5) 500 ns chi phí tiết kiệm
CMTI-8010A (CMTI) IEC-60747-5-5 và IEC-60747-17 CMTI 10 000 V/ns
CMTI-8010C 20 000 V/ns
TLP-8012A5 và/hoặc TLP-3011C option) là hệ thống thử nghiệm TLP/VF-TLP/HMM 80 A đã được thực hiện TLP-8010A và TLP-4010C thành một hệ thống
TLP-12010C (với tùy chọn TLP-12012A6 và/hoặc TLP-3011C mở rộng) là hệ thống thử nghiệm TLP/VF-TLP/HMM 120 Tiến trình đầu tiên tốt nhất, hợp nhất các tính năng TLP-12010A và TLP-4010C thành một hệ thống
TLP-16010A (có bộ mở rộng xung quanh tùy chọn TLP-16012A) cung cấp 4 kV đến 50 Ω 160 A, cho các thử nghiệm điều kiện khắc nghiệt
• Kiểm tra TLP/VF-TLP/HMM cấp wafer và gói
• Đầu ra xung điện áp cao 50Ω cực nhanh với thời gian tăng điển hình
100 ps
• Xung HMM tích hợp (IEC 61000-4-2) lên đến ±8 kV
• Dòng điện đầu ra xung cao lên đến ±30 A
• Đầu ra kích hoạt 50Ω tốc độ cao cho máy hiện sóng (đồng bộ với đầu ra xung điện áp cao)
• 6 thời gian tăng xung có thể lập trình: 100 ps đến 50 ns
• 8 (tùy chọn 9) độ rộng xung có thể lập trình: 0,5 ns (tùy chọn), 1 ns đến 100 ns
• Bộ mở rộng độ rộng xung tùy chọn tăng độ rộng xung lên đến
1,6 µs trong 68 bước có thể lập trình
• Thời gian đo nhanh, thường là 0,2 giây cho mỗi xung bao gồm phép đo DC một điểm giữa các xung
• Phần mềm hiệu quả cho hệ thống kiểm soát và quản lý dữ liệu dạng sóng
• Phần mềm có thể kiểm soát các đầu dò tự động (Suss) để
đo nhanh các tấm wafer hoàn chỉnh
• Các thành phần hiệu suất cao và chất lượng cao